nanotech_japan

料金表

■微細構造解析分野   ■分子・物質合成分野   ■微細加工分野(MEMS)   

微細構造解析分野
試料作製実費相当 (1,500円/時間)
技術支援 (3,000円/時間)
解析支援 (3,000円/時間)
試料作製装置群及び実験室使用料 (300円/時間)
FIB試料用Moグリッド(Cuより差額) (1,200円/1個)

※技術支援、解析支援については都度見積・相談によります。
※微細構造解析分野のみ税抜価格。
装置利用料【円/日(8Hours)】
装置名
成果公開
成果非公開
走査型電子顕微鏡(SU8000,S5500)
10,512 29,248
高性能分析電顕(FEI-Titan80-300)
29,705 34,105
FIB加工観察装置(FEI−Quanta3D)
23,120 33,112
FIB加工観察装置(FEI−Versa3D)
23,120 33,112
原子分解能分析電顕(JEM-ARM200F)
30,764 78,000
透過型電子顕微鏡(JEM-3010)
14,942 25,654

※微細構造解析注意事項

分子・物質合成分野
装置
料金
 
消耗品費
成果公開
成果非公開
  機器利用 技術補助 技術代行 機器利用 技術補助 技術代行 単価
別途相談
分子合成装置群
1,220 8,672 円/日
蒸着チャンバー付三連式グローブボックス
2,613 3,606 4,103 3,358 3,855 5,097 円/
時間
マクロ撮影デジタルカメラシステム
光学式膜厚測定装置
半導体デバイス・アナライザ
防振台付きマニュアルポジショナ
熱分析装置
238 1,231 1,728 983 1,480 2,722 円/
時間
絶対PL量子収率測定装置
334 1,327 1,824 1,079 1,576 2,818 円/
時間
大気中光電子分光測定装置
1,042 2,036 2,533 1,787 2,284 3,526 円/
時間
光励起キャリア移動度測定装置
627 1,621 2,118 1,373 1,869 3,111 円/
時間
高出力全自動水平型多目的X線回折装置
1,247 2,241 2,738 1,993 2,489 3,731 円/
時間
核磁気共鳴装置
6,342
35,338
円/
時間
ICP発光分光分析装置
3,400
4,979
円/
時間

※分子合成注意事項

微細加工分野(MEMS)
成果公開の場合 ■技術支援料 3,150円/時間 ■施設使用料 880円/時間(学内は690円/時間) 
成果非公開の場合 ■技術支援料 5,565円/時間 ■施設使用料 880円/時間(学内は690円/時間)

装置一覧及び料金表ダウンロード (こちら) 
装置
番号
装置名
利用料
(円/時間)
装置
番号
装置名
利用料
(円/時間)
A.洗浄・乾燥
A-1
エッチングチャンバー
648
A-6
ブラシスクラバ
2,811
A-2
リン酸槽
683
A-7
スピン乾燥機
1,263
A-3
CO2 超臨界乾燥機
1,394
A-8
有機ドラフトチャンバー
648
A-4
イナートオーブン(シンター炉)
568
A-9
4"スピン乾燥機
927
A-5
真空オーブン
501
A-10
6"スピン乾燥機
927
B.フォトリソグラフィ
B-1
パターンジェネレータ
1,524
B-9
UV キュア装置
1,886
B-2
スピンコータ
1,049
B-10
スピンコータ
1,041
B-3
クリーンオーブン
1,416
B-11
スプレー現像装置
1,099
B-4
ポリイミドキュア炉
1,060
B-12
ステッパ
15,046
B-5
両面アライナ
2,165
B-13
エリオニクス EB描画装置
6,441
B-6
片面アライナ
1,566
B-14
レーザ描画装置
5,937
B-7
Raith EB描画装置
3,015
B-15
球面露光装置
3,750
B-8
現像ドラフト
648  
C.酸化拡散・イオン注入・熱処理
C-1
酸化炉(半導体用)
6,035
C-7
アニール炉
6,203
C-2
酸化炉(MEMS用)
6,035
C-8
中電流イオン注入装置
15,172
C-3
P拡散炉
7,898
C-9
高電流イオン注入装置
15,353
C-4
P押し込み炉
6,221
C-10
ランプアニール装置
5,477
C-5
B拡散炉
6,933
C-11
メタル拡散炉
5,381
C-6
B押し込み炉
6,221  
D.成膜
D-1
LPCVD(SiN)
8,446
D-10
ゾルゲル自動成膜装置
4,679
D-2
LPCVD(Poly-Si)
8,620
D-11
めっき装置
2,094
D-3
LPCVD(SiO2)
9,695
D-12
MOCVD
16,354
D-4
熱CVD
10,639
D-13
JPEL PECVD
12,488
D-5
住友精密PECVD
12,064
D-14
住友精密TEOS PECVD
12,436
D-6
W-CVD
7,131
D-15
自動搬送 芝浦スパッタ装置
5,027
D-7
アネルバスパッタ装置
5,097
D-16
球面成膜用スパッタ装置
3,270
D-8
芝浦スパッタ装置
2,891
D-17
多元材料原子層堆積(ALD)装置
9,046
D-9
電子ビーム蒸着装置
3,597
D-18
酸素加圧RTA付高温スパッタ装置
10,089
E.エッチング
E-1
DeepRIE装置#1
6,906
E-10
アルバック多用途RIE装置
7,398
E-2
DeepRIE装置#2
6,906
E-11
KOHエッチング槽
2,817
E-3
DeepRIE装置#3
7,135
E-12
TMAHエッチング槽
2,853
E-4
アネルバRIE装置
5,982
E-13
DeepRIE装置#4
11,215
E-5
アネルバSi RIE装置
5,754
E-14
イオンミリング装置
9,109
E-6
Al-RIE装置
9,894
E-15
DeepRIE装置#4
6,708
E-7
アルバック アッシング装置
2,955
E-16
イオンミリング装置
8,037
E-8
ブランソン アッシング装置
2,523
E-17
ケミカルドライエッチャー(CDE)
5,341
E-9
ECRエッチング装置
10,739
E-18
プラズマクリーナー
2,505
F.接合・研磨・パッケージング
F-1
ウェハ接合装置
3,612
F-9
EVG ウェハ接合装置
4,457
F-2
東京精密 ダイサ
7,328
F-10
EVG ウェハ接合用アライナ
3,790
F-3
ディスコ ダイサ
1,800
F-11
UVインプリント装置
4,317
F-4
ワイヤボンダ
776
F-12
熱インプリント装置
4,421
F-5
レーザマーカ
1,960
F-13
エキシマ洗浄装置
1,075
F-6
6インチウェハ研磨装置
1,675
F-14
サーフェイスプレナー
7,275
F-7
4インチウェハ研磨装置
1,392
F-15
ウォーターレーザ
3,980
F-8
サンドブラスト
1,912  
G.測定
G-1
ウェハゴミ検査装置
1,323
G-15
超音波顕微鏡
1,472
G-2
膜厚計
827
G-16
デジタルサーモ顕微鏡
832
G-3
Dektak 段差計
1,107
G-17
赤外線顕微鏡
754
G-4
Tenchor 段差計
1,107
G-18
四重極質量分析装置
848
G-5
深さ測定装置
666
G-19
TOF-SIMS
10,099
G-6
4探針測定装置
667
G-20
クイックコータ
840
G-7
拡がり抵抗測定装置
1,856
G-21
走査形プローブ顕微鏡
2,951
G-8
ウェハプローバ
1,890
G-22
卓上型エリプソ
344
G-9
金属顕微鏡
677
G-23
大口経AFM
2,943
G-10
デジタル顕微鏡
1,102
G-24
レーザ/白色共焦点顕微鏡
3,788
G-11
熱電子SEM
1,989
G-25
直線集束ビーム超音波材料解析システム#1
3,291
G-12
FE-SEM
3,346
G-26
直線集束ビーム超音波材料解析システム#2
3,291
G-13
マイクロX線CT
2,231
G-27
直線集束ビーム超音波材料解析システム#2
3,058
G-14
エリプソ
455  

注意事項

※表示は全て税込価格です。 (微細構造解析分野のみ税抜価格)

微細構造解析分野:使用料においては先端電子顕微鏡センターの利用規程に従います。使用単位は(1日あたり)8時間です。学内利用につきましては、学内料金規定に従います。

分子・物質合成分野:学内利用につきましては、学内料金規定に従います。分子合成の使用単位は(1日あたり)8時間です。技術支援料は必要ありません。