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微細加工分野

微細加工分野では、フォトリソグラフィ、エッチング、薄膜堆積、接合、測定などの装置を操作トレーニング付きで公開するとともに、デバイス構造やプロセス全体の技術相談に応じます。東北大学西澤潤一記念研究センター内の試作コインランドリにおいて実施します。広さ約1,000平米のクリーンルームにおいて、最大6インチウェハに対応するプロセスラインが利用可能です。

支援内容

微細加工分野の支援形態は、以下の3通りです。

  • 機器利用:基本的な支援形態は本人による装置利用です。受託支援は原則行いません。
  • 技術補助: 初めて使う装置、あるいは前回の利用から長い時間をおいて使う装置について、操作トレーニングをします。また、デバイス構造やプロセス全体の技術相談や共同研究に応じます。
  • 技術相談: 支援結果に基づいて、デバイス構造やプロセス全体の技術相談や共同研究に応じます。

支援機器

No 装置名 メーカー/型番 ウエハサイズ 仕様/特徴 画像
3A 洗浄・乾燥
A-1
エッチングチャンバー アズワン PSH1200
最大6インチ
酸洗浄、ウェットエッチング(Si, SiO2, SiO2, 金属など)
A-2
リン酸槽   SiNウェットエッチング
A-3
CO2 超臨界乾燥機 SCFluids CPD1100 壊れやすいデバイスの乾燥
A-4
イナートオーブン(シンター炉) ヤマト科学 DN63H N2雰囲気中での熱処理、Alシンタリングなど
A-5
真空オーブン ヤマト科学 DP-31 真空中での熱処理
A-6
ブラシスクラバ 全協化成 研磨後のウェハ洗浄
A-7
スピン乾燥機 東邦化成 ZAA-4 平置き式でウェハやフォトマスクの乾燥
A-8
有機ドラフトチャンバー   有機洗浄、レジスト剥離
A-9
4"スピン
乾燥機
SEMITOOL PSC101
4インチ
カセット式で1度に25枚まで処理可能
A-10
6"スピン
乾燥機
SEMITOOL PSC101
6インチ
カセット式で1度に25枚まで処理可能
3B フォトリソグラフィ
B-1
パターンジェネレータ 日本精工 TZ-310
最大
6インチ角
エマルジョンマスク、Crマスクの作製、最小描画パターン:1μm
B-2
スピンコータ ミカサ 1H-DXII
最大4インチ
レジスト等のスピンコーティング
B-3
クリーンオーブン ヤマト科学 DE62
最大6インチ
ウェハのベーク
B-4
ポリイミドキュア炉 ヤマト科学 DN43H N2雰囲気中でのポリイミドのキュア
B-5
両面アライナ Suss MA6/BA6 コンタクト露光、片面・両面アライメント、接合時のアライメント
B-6
片面アライナ キヤノン PLA-501-FA
4インチ
コンタクト露光、カセットtoカセットで連続処理可能
B-7
Raith EB描画装置 Raith 50
最大3インチ
最大加速電圧:30keV、最小描画パターン:30nm
B-8
現像ドラフト  
最大6インチ
レジスト現像用のドラフトチャンバー
B-9
UV キュア装置 ウシオ電機 UMA-802
4インチ
レジストのキュア、カセットtoカセット
B-10
スピンコータ アクテス ASC-4000
最大6インチ
レジスト等のスピンコーティング
B-11
スプレー現像装置 アクテス ADE-3000S 現像液とリンス(水)をノズルから噴霧
B-12
ステッパ キヤノン FPA1550M4W g線ステッパ、最小描画パターン:約0.6μm、カセットtoカセット(4インチ)
B-13
エリオニクス EB描画装置 エリオニクス ELS-G125S 最大加速電圧:130keV、最小描画パターン:10nm以下
B-14
レーザ 描画 装置 Heidelberg Instruments
DWL2000CE
最大9インチ角 波長:405nm、最小描画線幅:0.7µm、マスク作製(Cr、エマルジョン)、直接描画、グレイスケール露光
3C 酸化拡散・イオン注入・熱処理
C-1
酸化炉(半導体用) 東京エレクトロン XL-7
最大6インチ
酸化膜形成、半導体ウェハ用
C-2
酸化炉(MEMS用) 東京エレクトロン XL-7 酸化膜形成、MEMSウェハ用
C-3
P拡散炉 東京エレクトロン XL-7 P拡散(プリデポ用)
C-4
P押し込み炉 東京エレクトロン XL-7 P拡散(ドライブイン用)
C-5
B拡散炉 東京エレクトロン XL-7 B拡散(プリデポ用)
C-6
B押し込み炉 東京エレクトロン XL-7 B拡散(ドライブイン用)
C-7
アニール炉 東京エレクトロン XL-7 イオン注入後のアニール
C-8
中電流イオン注入装置 日新イオン機器 NH-20SR
4インチ
最大加速電圧:180keV、最大電流:0.6mA、注入可能元素:P、B、カセットtoカセット
C-9
高電流イオン注入装置 住友イートンノバ NV-10 AG
4インチ
最大加速電圧:80keV、最大電流:6mA
C-10
ランプアニール装置 Associates AG4100
最大6インチ
最高温度:1100℃、昇温速度:100℃/sec、カセットtoカセット
C-11
メタル拡散炉 光洋リンドバーグ Model270
最大4インチ
最高温度:1000℃、メタルや圧電基板等の多用途拡散  
3D 成膜
D-1
LPCVD(SiN) システムサービス
最大6インチ
SiN
D-2
LPCVD(Poly-Si) システムサービス Poly-Si
D-3
LPCVD(SiO2) システムサービス SiO2(NSG)、SiON
D-4
熱CVD 国際電気 Epipoly-Si(non-doped, doped)、Poly-Si(non-doped, doped)、最高温度:1100℃
D-5
住友精密PECVD 住友精密 MPX-CVD
最大8インチ
SiN、SiO2、最高温度:350℃、低応力SiN成膜
D-6
W-CVD Applied Materials P-5000
4インチ
タングステン成膜
D-7
アネルバスパッタ装置 アネルバ SPF-730
最大6インチ
1バッチ9枚(4インチ)、8インチターゲット×3
D-8
芝浦スパッタ装置 芝浦メカトロニクス CFS-4ESII
最大8インチ
基板ステージφ200mm、3インチターゲット×3、基板加熱形(最高300℃)
D-9
電子ビーム蒸着装置 アネルバ EVC-1501
4インチ
主に金属薄膜の蒸着
D-10
ゾルゲル自動成膜装置 テクノファイン PZ-604
最大4インチ
PZT成膜
D-11
めっき装置 山本鍍金試験器
最大6インチ
Cu、Ni、Sn、Au
D-12
MOCVD ワコム研究所 Doctor T
最大8インチ
PZT成膜等
D-13
JPEL PECVD 日本生産技術研究所
VDS-5600
最大6インチ
SiN、SiO2、バッチ式:4インチ×13枚、6インチ×8枚
D-14 住友精密TEOS PECVD 住友精密 MPX-CVD
最大8インチ
TEOS SiO2、SiN、最高温度:350℃、低応力SiN成膜
D-15 自動搬送 芝浦スパッタ装置 芝浦メカトロニクス !-Miller CFS-4EP-LL 
最大8インチ
基板ステージφ220mm、3インチターゲット×4、基板加熱形(最高300℃)、ロードロック付、自動搬送付
3E エッチング
E-1
DeepRIE装置#1 住友精密 MUC-21
最大6インチ
Siの深堀エッチング、メカニカルチャック
E-2
DeepRIE装置#2 住友精密 MUC-21 Siの深堀エッチング、メカニカルチャック
E-3
DeepRIE装置#3 STS Siの深堀エッチング、メカニカルチャック
E-4
アネルバRIE装置 アネルバ DEA-506 SiN、SiO2のドライエッチング、ガス:CF4、CHF3
E-5
アネルバSi RIE装置 アネルバ L-507DL Siのドライエッチング、ガス:SF6
E-6
Al-RIE装置 芝浦エレテック HIRRIE-100 AlやSiのドライエッチング、カセットtoカセット、ガス:Cl2、BCl3
E-7
アルバック アッシング装置 アルバック UNA-2000
4インチ
2.45GHz、カセットtoカセット
E-8
ブランソン アッシング装置 ブランソン IPC4000
最大6インチ
13.56MHz
E-9
ECRエッチング装置 アネルバ ECR6001
最大3インチ
ガス:Cl2
E-10
アルバック多用途RIE装置 アルバック RIH-1515Z
最大6インチ
金属膜や圧電膜も対象とした多目的のドライエッチング、ガス:Cl2、BCl3、SF6、CF4、CHF3、Ar、N2、O2
E-11
KHOエッチング槽  
最大6インチ
Si結晶異方性エッチング
E-12
TMAHエッチング槽  
最大6インチ
Si結晶異方性エッチング
E-13
DeepRIE装置#4 住友精密 MUC-21
最大8インチ
Siの深堀エッチング、静電チャック
E-14
イオンミリング装置 エヌ・エス/伯東 20IBE-C
最大6インチ
Arイオン、4インチ×6枚、6インチ×3枚
3F 接合・研磨・パッケージング
F-1
ウェハ接合装置 Suss SB6e
最大6インチ
陽極接合、金属接合、ポリマー接合
F-2
東京精密 ダイサ 東京精密 切削水:純水
F-3
ディスコ ダイサ ディスコ DAD-522 切削水:水道水
F-4
ワイヤボンダ West Bond
チップ
Al、Au
F-5
レーザマーカ GSI ルモニクス WM-II
4インチ
ウェハのマーキング
F-6
6インチウェハ研磨装置 BNテクノロジー Bni62
最大6インチ
Si、SiO2、金属などの研磨、CMP
F-7
4インチウェハ研磨装置 BNテクノロジー Bni52
最大4インチ
Si、SiO2、金属などの研磨、CMP
F-8
サンドブラスト 新東
最大6インチ
ガラスの穴あけ加工
F-9
EVG ウェハ接合装置 EVG 520
8インチ
熱圧着接合用
F-10
EVG ウェハ接合用アライナ EVG Smart View Aligner
8インチ
IR透過アライメント可能
F-11
UVインプリント装置 東芝機械 ST-50
最大4インチ角
UV光を用いたインプリント装置、ステップ&リピート可能
F-12
熱インプリント装置 オリジン電気 Reprina-T50A
最大2インチ角
最大650℃、最大30kN
F-13
エキシマ洗浄装置 デアネヒステ EXC-1201-DN
最大4インチ
ウェハや石英モールド上の有機物の除去
F-14
サーフェイスプレナー ディスコ DAS8920 4、8インチ Au、Cuバンプの平坦化
3G 測定
G-1
ウェハゴミ検査装置 トプコン WM-3
最大6インチ
ウェハ上のパーティクル測定(数、大きさ)
G-2
膜厚計 ナノメトリクス NanoSpec3000 光学式の膜厚測定
G-3
Dektak 段差計 Dektak 8 触針式の表面形状測定
G-4
Tenchor 段差計 Tenchor AlphaStep 500 触針式の表面形状測定
G-5
深さ測定装置 ユニオン光学 Hisomet 光学式の非接触深さ測定装置
G-6
4探針測定装置   ウェハ抵抗率などの測定
G-7
拡がり抵抗測定装置 Solid State Measurements SSM150
小片
不純物濃度プロファイルの測定、ウェハを小片にして端面を斜め研磨した後に測定
G-8
ウェハプローバ 東京精密 EM-20A
4インチ
デバイスの電気特性測定
G-9
金属顕微鏡 ニコン L150 ト
最大6インチ
パターン観察
G-10
デジタル顕微鏡 キーエンス/クノーテクノクラフ
最大8インチ
パターン観察、デジタル画像保存、電動ステージ(PC制御可)、20〜200倍、500〜5000倍
G-11
熱電子SEM 日立 S3700N
最大
12インチ
EDX付、低真空モード付、光学画像ナビゲーション付
G-12
FE-SEM 日立 S5000
小片
小片専用、インレンズ式の高分解能FESEM
G-13
マイクロX線CT コムスキャンテクノ ScanXmate D160TS110
最大6インチ
X線を用いた非破壊内部観察
G-14
エリプソ アルバック 薄膜の厚さ、屈折率測定
G-15
超音波顕微鏡 インサイト IS-350
最大
12インチ
デバイス内部の非破壊検査、ウェハ接合面の欠陥、ボイド評価等
G-16
デジタルサーモ顕微鏡 アピステ FSV-1200
最大6インチ
熱画像センサ、最小分解能:10μm
G-17
赤外線顕微鏡 オリンパス/浜松ホトニクス
最大6インチ
両面アライメントの確認、ウェハ接合面のボイド評価等
G-18
四重極質量分析装置 キヤノンアネルバ
M-101QA-TDM
プロセス中の残留ガスのモニタ等
G-19
TOF-SIMS CAMECA TOF SIMS IV
チップ
二次イオン質量分析装置、深さ方向の微量元素分析
G-20
クイックコータ サンユー電子 SC-701MkII
最大2インチ
SEM観察試料のPtコーティング
G-21
走査形プローブ顕微鏡 島津製作所 SPM-9700
チップ
表面形状の精密測定
G-22
卓上型エリプソ フォトニックラティス SE-101
最大6インチ
高速サンプリング可能なエリプソ
G-23
大口経AFM Digital Instruments
Dimension3100
最大12インチ
大口径ウェハにも対応するAFM
G-24
レーザ/白色共焦点顕微鏡 レーザーテック
OPTELICS HYBRID LS-SD
最大6インチ
3次元表面形状測定、DeepRIEのエッチ深さ測定、レーザ光/白色の切替可能、共焦点/非共焦点の切替可能
G-25 直線集束ビーム超音波材料解析システム#1   最大6インチ 固体試料の漏洩弾性表面波(LSAW)速度測定
G-26 直線集束ビーム超音波材料解析システム#2   最大8インチ 固体試料のバルク波(縦波、横波)音速測定